Ein Vergleich von MOS- und MES-Feldeffekttransistoren mit 1 µm Kanallänge für integrierte Gleichstrom-gekoppelte Schaltungen

Wilhelm Jutzi. Ein Vergleich von MOS- und MES-Feldeffekttransistoren mit 1 µm Kanallänge für integrierte Gleichstrom-gekoppelte Schaltungen. it - Information Technology, 14(1):19-27, 1972.

Abstract

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